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Ge和In掺杂不仅优化了Seebeck系数，生物而且显著提高了载流子浓度和电导率，有助于在宽温度范围内保持高功率因数。最终，源行业新这些协同效应使In、Ge掺杂SnSe纳米片获得了高宽温域热电性能，有助于拓展材料的应用。

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生物中科院金属所沈阳材料科学国家研究中心先进炭材料研究部主任。他们首先指出，源行业新减少漏致势垒降低（DIBL）和亚阈值摆幅（SS）退化等短沟道效应影响的关键在于减小自然长度（naturallength），源行业新它反比于晶体管的栅数量N，正比于沟道厚度TS。